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    年產5萬片GAN單晶襯底及外延片 蘇州納維科技總部大樓奠基

    時間2021-02-01 14:25:31來源:作者:admin 點擊:
           近日,蘇州納維科技有限公司在園區舉行總部大樓奠基儀式。

           項目位于蘇州納米城,總用地面積14000平方米,總建筑面積約34000平方米,將建設成為國際前三的氮化鎵(GaN)單晶襯底研發基地與高端產品生產基地,預計年產氮化鎵單晶襯底及外延片5萬片。

           蘇州納維科技成立于2007年5月,致力于第三代半導體產業核心關鍵材料——氮化鎵單晶襯底的產業化開發。

           經過多年攻關,納維科技完成了從材料生長設備的自主研發到氮化鎵單晶襯底的開發和產業化,率先實現了2英寸氮化鎵單晶襯底的生產、完成了4英寸產品的工程化技術開發、突破了6英寸產品的關鍵核心技術,是目前國內唯一一家能夠同時批量提供2英寸高導電、半絕緣氮化鎵單晶的企業,產品性能綜合指標國際領先。

            當下,第三代半導體正在為多個產業帶來變革性的發展動力,而高質量的單晶襯底的重要性越來越明晰。納維科技掌握了氮化鎵單晶襯底產業化的成套核心技術,產品生產已經供不應求。

           納維科技董事長徐科表示,此次奠基的總部大樓將重點承擔納維科技在生產、研發等方面的需求,標志著我們在市場、生產、研發等方面全面發力。

            第三代半導體產業是推動5G、新能源等戰略性產業發展的關鍵基礎一直以來半導體行業都是園區重點布局的產業。

           隨著中科院納米所、材料科學姑蘇實驗室等重大創新載體的加快建設,包括納維科技在內的一批創新勢頭強勁的企業加快成長,園區第三代半導體上、中、下游產業鏈規模初顯,目前已集聚全國80%的氮化鎵領域“國家級重點人才”,掌握了一批核心自主知識產權,已成為國內最具影響力的人才和技術高地。

           目前,園區正努力爭創“國家第三代半導體技術創新中心”“國家先進制造業集群”“國家重大科技基礎設施”等國家級平臺,搶抓當前發展機遇為建設成為世界一流高科技園區而不斷努力。

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